SJ 50033.10-1994 半导体分立器件.3DK207型功率开关晶体管详细规范

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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK207型功率开关晶体管详细规范,SJ 50033/10-94,1范围,1-1主题内容,本规范规定了 3DK207A.I型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按,GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).,1.2 外形尺寸,外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的改一O1C型及如下规定(见图,图1,1.3 最大额定值,中华人民共和国电子工业部1994d9-30发布1994-12-01 实施,- 1 -,ww. bzfxw. com下载,sj 50033/10-94,型 号,Hotハ,員=25'C,(W) (V),y nm,(V) (V),厶,(A),h,(A),Ti,(C),ヘ,(C),3DK207A 50 30,3DK207B 80 50,3DK207C 110 80,3DK2O7D 150 no,3DK207E 100 200 150 6 7.5 2.0 175 —55775,3DK2O7F 250 200,3DK207G 350 25,3DK207H 450 300,3DK2O7I 500 450,注:l)Tc>25,C,按666mW/C的速率线性地降额,1-4主要电特性(Ta =25。),注;1)ん组《40各档,其误差不超过±20%;ル阳>40各档,其误差不超过±10%,\极限值,型号、,力FE1 ”,九 e =5.0V,h: - 3. 75A,匕取融れド BE (mx) ムm ムA,VCf =10V,5 0. 5A,/=3. 0MHz,(MHz),C:山,VCB — 10V,/=0. 1MHz,几=0,(pF),&t)itjー「),% =25V,ハ;二L3A,(C/W),九=3, 75A,“ =0. 38A,(V),Ic エ3. 75A,ZB1 =0. 38A,/1R2 =-0. 38A,(AS),max max min max max,3DK207A—1 红15.25,橙 25-40,黄40.55,绿55.80,蓝80.】20,0.8 L 4 0.6 2.2 0.4 8 600 1 1.5,2引用文件,GB 4587双极型晶体管测试方法,GB 7581半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 半导体分立器件总规范,GJB 128半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,2,SJ 50033ハ0—94,3.2 」 引出线材料和涂层,引出线材料应为可伐,引出线表面应为暢层或镶层。对引出线涂层有选择要求时?在合同,或订货单中应予规定,3.3 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4 3筛选(仅对G[和GCT级),器件的筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,越,过本规范表:规能极限值的器件应予剔除,筛 选,(见GJB 33的表2),测 试,GT和GCT级,ァ、中间电参数测试ル珠”和ホト,匕1,8、功率老化叽 4. 3. 1,9、最后测试按本规范表I的A2分组:,△ル叫也初始值的100%或150*A,取较大者“,幽毁国初始值的士20%,4. 3-I功率老化条件,功率老化条件如下:,T, =162. 5 + 12. 5c,Ver. =25V,靡,>5OW,4.4质量一致性检験,质量…致性检验应按GJB 33的规定进行O,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4 4 2 B组检验,B组检验应按GJB 33却本规范表2的规定进行,4-4.3 C组检验,C组检验应按GJBヅ和本规范衰3的规第进行,45检验方法,检验方法应按本规范相应的表和ド列规定,4.5.I脉冲测试,脉冲涧试应按GJB 128的3. 3. ?,1的规定,3 —,下载,sj 50033/10-94,4.5- 2热阻,热阻测试应按GB 4587的2. 10和下列规定,a.加功率时的1c=L3A:,b. V ck = 25 V ;,c丒基准温度测试点应为管壳;,d.基准点温度范围为25CW般<75 C,实际温度应记录;,e.安装应带散热装置;,f.凡亜7”的最大极限值应为L5CハV,4.5.3 C组寿命试验,C组寿命试验应按GJB 33和本规范的规定进行,4.5.4 恒定加速度,恒定加速度试验应按GJB 33和本规范的规定进行,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件min max,A1分组,外观及机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,集电极发射极,击穿电压,3DK2O ア A,3DK207B,3DK2O7C,3DK207D,3DK207E,3DK2O7F,3DK207G,3DK207H,3DK207T,发射极基极,む穿电压,‘集电极一基极,截止电,流,集电极ー发射极,截止电流,废射极一基极,截止电流,集电极ー发射极,饱和电压,本规范,附录A,2.9,2. 2,2.1,2.1,4,2.2,2.3,发射极」基射被路,1c — 5mA,集电极一基极开路;,九—5mA,发射极一基极开路;,发射极一一基板开路;,%=び阳ユ,集电机一基极开路;,VEb - 6V,れ=3, 75A,ム=0, 38A,5,V (BRH:EO,V\b……

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